Intel и Micron совершили революцию в сфере флеш-памяти
Компания Intel совместно с Micron представили новый тип флеш-памяти, основанный на технологии 3D Nand. Данные микросхемы обладают такой потрясающий плотностью записи, что плашка размером со стандартный SSD сможет хранить 10 терабайт данных.
Технология 3D NAND обеспечивает увеличение плотности хранения данных в три раза за счет использования вертикальной трехмерной системы ячеек. Чтобы пояснить сущность технологии, приведем пример из градостроительства. Представьте, что стандартная технология производства чипов памяти — это строительство города, состоящего из одноэтажных домиков, в каждом из которых может жить только одна семья. Такой подход работает, лишь когда есть достаточно места.
А теперь представьте, что большое количество людей хочет жить на ограниченной территории. Чтобы увеличить плотность населения, на месте одноэтажных домиков можно построить многоэтажки. По сути, именно такой "многоэтажной" записью данных и является новая технология.
Таким образом, в модуль размером с пачку жвачки уместится около 3,5 терабайт памяти. А вот стандартный 2,5-дюймовый SSD-накопитель сможет предложить пользователям свыше 10 терабайт. Новая технология позволит существенно увеличить объем памяти в смартфонах, планшетах и ультрабуках. Разработчикам подобных устройств критически важно, чтобы модули имели минимальные габариты. Кроме того, 3D NAND удешевит накопители в целом. Тестовые партиии новых чипов начали поставлять производителям. Помимо Intel и Micron аналогичную память разработала и готова поставлять Toshiba. Полномасштабное производство будет развернуто уже в текущем году.
